更新時(shí)間:2025-02-12
但是在光電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試實(shí)際測(cè)試體系情況下,由于電解液存在一定的電阻 Ru,Ru 是參比電極到工作電極表面電雙層(double layer)一邊的溶液電阻。根據(jù)歐姆定律,這個(gè) Ru 就會(huì)產(chǎn)生一定壓降,壓降的大小為 Vir= I*Ru。這樣就造成工作電極上的實(shí)際電壓和相對(duì)參比電極而施加的電壓有所不同。如圖二所示。
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大多數(shù)情況下,我們認(rèn)為參比電極(RE)和工作電極(WE)之間施加的電壓就是在工作電極上施加的電壓。如圖一所示。

但是在光電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試實(shí)際測(cè)試體系情況下,由于電解液存在一定的電阻Ru,Ru是參比電極到工作電極表面電雙層(doublelayer)一邊的溶液電阻。根據(jù)歐姆定律,這個(gè)Ru就會(huì)產(chǎn)生一定壓降,壓降的大小為Vir=I*Ru。這樣就造成工作電極上的實(shí)際電壓和相對(duì)參比電極而施加的電壓有所不同。如圖二所示。 
補(bǔ)償電阻Ru的大小可以通過(guò)直流電流快速遮斷法或者采用EIS方法進(jìn)行測(cè)試。EIS要比直流電流快速折斷法更確定。電流快速折斷方法是早期沒(méi)有AC技術(shù)的時(shí)候出現(xiàn)的。自從有AC技術(shù)之后,EIS成為選擇的測(cè)試技術(shù)。使用EIS技術(shù)時(shí),測(cè)試1K-100KHz頻率范圍內(nèi)的交流阻抗譜。在高頻區(qū),相位為零時(shí)的阻值就是要補(bǔ)償?shù)碾娊庖弘娮鑂u,如圖三所示。 
下面使用Zahner的Zennium系列電化學(xué)工作站做一些實(shí)際測(cè)試。測(cè)試時(shí)使用圖四所示的模擬元件電路。 
果和實(shí)際電路*一樣(考慮元件誤差)。Ru=100?,Rp=1995?,電容為993.8nF.如圖五所示。 



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